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| Artikelnummer | IXFK20N120P |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 193nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11100pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 780W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 570 mOhm @ 10A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-264AA (IXFK) |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA
Auf Lager: 0
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA
Auf Lager: 0
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 100A TO-264
Auf Lager: 31
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA
Auf Lager: 252
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
Auf Lager: 116
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
Auf Lager: 5
