部品番号 | IPP65R125C7XKSA1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 650V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 440µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 35nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1670pF @ 400V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 101W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 125 mOhm @ 8.9A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO-220-3 |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 650V 46A TO-220-3
在庫あり: 729
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220
在庫あり: 181
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 650V 38A TO220
在庫あり: 243
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220
在庫あり: 9
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 650V 18A TO220
在庫あり: 514
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
在庫あり: 2455