ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IPP65R110CFDXKSA1

Infineon Technologies IPP65R110CFDXKSA1

部品番号
IPP65R110CFDXKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    2.96000/pcs
  • 10 pcs

    2.79200/pcs
  • 100 pcs

    2.28940/pcs
  • 500 pcs

    1.85385/pcs
  • 1,000 pcs

    1.56349/pcs
合計:2.96000/pcs Unit Price:
2.96000/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IPP65R110CFDXKSA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 700V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 31.2A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 1.3mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 118nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3240pF @ 100V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 277.8W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 110 mOhm @ 12.7A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
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