ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ IPG20N04S4L07ATMA1

Infineon Technologies IPG20N04S4L07ATMA1

部品番号
IPG20N04S4L07ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET 2N-CH 8TDSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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製品パラメータ
部品番号 IPG20N04S4L07ATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 7.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.2V @ 30µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 50nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3980pF @ 25V
電力 - 最大 65W
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-4
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