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| Artikelnummer | IPG20N04S4L07ATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 25V |
| Leistung max | 65W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-4 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 8TDSON
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8
Auf Lager: 5000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 8TDSON
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