ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル BSC600N25NS3 G

Infineon Technologies BSC600N25NS3 G

部品番号
BSC600N25NS3 G
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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製品パラメータ
部品番号 BSC600N25NS3 G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 250V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 25A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 90µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 29nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2350pF @ 100V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 60 mOhm @ 25A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
関連製品
BSC600N25NS3 G

メーカー: Infineon Technologies

説明: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8

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