Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples BSC600N25NS3 G

Infineon Technologies BSC600N25NS3 G

Numéro d'article
BSC600N25NS3 G
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Paramètre du produit
Numéro d'article BSC600N25NS3 G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2350pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TDSON-8
Paquet / cas 8-PowerTDFN
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BSC600N25NS3 G

Fabricant: Infineon Technologies

La description: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8

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