部品番号 | FQB10N60CTM |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.5A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 57nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2040pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±30V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 3.13W (Ta), 156W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 730 mOhm @ 4.75A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263AB) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
メーカー: Fairchild/ON Semiconductor
説明: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
在庫あり: 0
メーカー: Fairchild/ON Semiconductor
説明: MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
在庫あり: 800
メーカー: Fairchild/ON Semiconductor
説明: MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
在庫あり: 800