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| Numero di parte | FQB10N60CTM |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2040pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730 mOhm @ 4.75A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
Disponibile: 800
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
Disponibile: 800
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Disponibile: 0
