ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル DMN67D8L-13

Diodes Incorporated DMN67D8L-13

部品番号
DMN67D8L-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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0.01495/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 DMN67D8L-13
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 210mA (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 0.82nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 22pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 340mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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