部品番号 | DMN67D8L-13 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 210mA (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 0.82nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 22pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±30V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 340mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23 |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
メーカー: Diodes Incorporated
説明: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
在庫あり: 2000