ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル DMN6013LFG-13

Diodes Incorporated DMN6013LFG-13

部品番号
DMN6013LFG-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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    0.16008/pcs
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合計:0.16008/pcs Unit Price:
0.16008/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 DMN6013LFG-13
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10.3A (Ta), 45A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 55.4nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2577pF @ 30V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 13 mOhm @ 10A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
関連製品
DMN6013LFG-13

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

在庫あり: 0

RFQ 0.16008/pcs
DMN6013LFG-7

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

在庫あり: 2000

RFQ 0.15508/pcs
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説明: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

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説明: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563

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