部品番号 | DMN6013LFG-13 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10.3A (Ta), 45A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 55.4nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2577pF @ 30V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1W (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 13 mOhm @ 10A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI3333-8 |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
メーカー: Diodes Incorporated
説明: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
在庫あり: 2000