Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array SIA914DJ-T1-E3

Vishay Siliconix SIA914DJ-T1-E3

Numero di parte
SIA914DJ-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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Numero di parte SIA914DJ-T1-E3
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 10V
Potenza - Max 6.5W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Dual
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