Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array SIA914ADJ-T1-GE3

Vishay Siliconix SIA914ADJ-T1-GE3

Numero di parte
SIA914ADJ-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Vishay Corporation

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In stock 22500 pz
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    (In dollari USA)
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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SIA914ADJ-T1-GE3
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 10V
Potenza - Max 7.8W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Dual
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fabbricante: Vishay Siliconix

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Disponibile: 9000

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