Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SI2315BDS-T1-E3

Vishay Siliconix SI2315BDS-T1-E3

Numero di parte
SI2315BDS-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

In stock 247500 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SI2315BDS-T1-E3
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 715pF @ 6V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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