Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples SI2315BDS-T1-E3

Vishay Siliconix SI2315BDS-T1-E3

Numéro d'article
SI2315BDS-T1-E3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article SI2315BDS-T1-E3
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 715pF @ 6V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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