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| Numero di parte | SSM6N37FE,LM(T |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 10V |
| Potenza - Max | 150mW |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Disponibile: 12000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET ARRAY 2N-CH 20V 250MA US6
Disponibile: 6000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
Disponibile: 3000
