Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati RN2901(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage RN2901(T5L,F,T)

Numero di parte
RN2901(T5L,F,T)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parametro del prodotto
Numero di parte RN2901(T5L,F,T)
Stato parte Obsolete
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 200MHz
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore US6
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