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| Artikelnummer | RN2901(T5L,F,T) |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 4.7k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 4.7k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Leistung max | 200mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | US6 |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
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Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: RF TXRX MODULE ISM<1GHZ SMA ANT
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