Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli 2SA1955FVATPL3Z

Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVATPL3Z

Numero di parte
2SA1955FVATPL3Z
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 2SA1955FVATPL3Z
Stato parte Obsolete
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V
Potenza - Max 100mW
Frequenza - Transizione 130MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-101, SOT-883
Pacchetto dispositivo fornitore CST3
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