Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - Bipolar (BJT) - Simple 2SA1955FVATPL3Z

Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVATPL3Z

Numero de parte
2SA1955FVATPL3Z
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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0.03685/pcs
Precio objetivo:
Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parte 2SA1955FVATPL3Z
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 400mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 12V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Corriente - corte de colector (máximo) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V
Potencia - Max 100mW
Frecuencia - Transición 130MHz
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-101, SOT-883
Paquete de dispositivo del proveedor CST3
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