stmicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum
| Numero di parte | STY80NM60N |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 74A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10100pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 447W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 37A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MAX247™ |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 74A MAX247
Disponibile: 570
