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| Numero di parte | STP25N60M2-EP |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1090pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 188 mOhm @ 9A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 25A TO-220
Disponibile: 568
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB
Disponibile: 342
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220
Disponibile: 784
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
Disponibile: 900
