Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STLD200N4F6AG

STMicroelectronics STLD200N4F6AG

Numero di parte
STLD200N4F6AG
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 120A PWRFLAT 5X6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 20474 pz

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Totale:0.64226/pcsUnit Price:
0.64226/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSTLD200N4F6AG
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs172nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds10700pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5 mOhm @ 75A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerFlat™ (5x6)
Pacchetto / caso8-PowerSMD, Flat Leads
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