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| Numero de parte | STLD200N4F6AG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 6.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 172nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10700pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 158W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 75A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerFlat™ (5x6) |
| Paquete / caja | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 40V 120A PWRFLAT 5X6
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Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: IC LED DRVR RGLTR DIM 21MA 8QFN
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