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| Numero di parte | STH52N10LF3-2AG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 52A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 400V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 26A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | H2Pak-2 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
Disponibile: 0
