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| Artikelnummer | STH52N10LF3-2AG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 52A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 400V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 110W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 26A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | H2Pak-2 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
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