Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli STGY80H65DFB

STMicroelectronics STGY80H65DFB

Numero di parte
STGY80H65DFB
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
IGBT 650V 120A 469W MAX247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 1405 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    7.15500/pcs

  • 10 pcs

    6.57600/pcs

  • 100 pcs

    5.55380/pcs

  • 500 pcs

    4.94051/pcs
Totale:7.15500/pcsUnit Price:
7.15500/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSTGY80H65DFB
Stato parteActive
Tipo IGBTTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650V
Corrente - Collector (Ic) (Max)120A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 80A
Potenza - Max469W
Cambiare energia2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Tipo di inputStandard
Carica del cancello414nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C84ns/280ns
Condizione di test400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)85ns
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreMAX247™
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