Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln STGY80H65DFB

STMicroelectronics STGY80H65DFB

Artikelnummer
STGY80H65DFB
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
IGBT 650V 120A 469W MAX247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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  • 10 pcs

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  • 100 pcs

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  • 500 pcs

    4.94051/pcs
Gesamt:7.15500/pcs Unit Price:
7.15500/pcs		 Zielpreis:
 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer STGY80H65DFB
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 120A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 240A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Leistung max 469W
Energie wechseln 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 414nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 84ns/280ns
Testbedingung 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 85ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket MAX247™
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