Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STD100N10F7

STMicroelectronics STD100N10F7

Numero di parte
STD100N10F7
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 23787 pz
  • Prezzo di riferimento

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSTD100N10F7
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs61nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4369pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8 mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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