STMicroelectronics STD100N10F7

Numero de parte: STD100N10F7
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

STMicroelectronics

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Parámetro del producto

Numero de parte	STD100N10F7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	80A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	61nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4369pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 40A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63