Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STB8NM60D

STMicroelectronics STB8NM60D

Numero di parte
STB8NM60D
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 17500 pz

  • Prezzo di riferimento

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Totale:0.66990/pcsUnit Price:
0.66990/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSTB8NM60D
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds380pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1 Ohm @ 2.5A, 10V
temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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