STMicroelectronics SCT20N120

Numero di parte: SCT20N120
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

STMicroelectronics

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In stock 1260 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
7.26500/pcs
10 pcs
6.67700/pcs
100 pcs
5.63900/pcs

Totale:7.26500/pcs

Unit Price:

7.26500/pcs

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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	SCT20N120
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 400V
Vgs (massimo)	+25V, -10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 10A, 20V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	HiP247™
Pacchetto / caso	TO-247-3