Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln SCT20N120

STMicroelectronics SCT20N120

Artikelnummer
SCT20N120
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Gesamt:7.26500/pcs Unit Price:
7.26500/pcs		 Zielpreis:
 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer SCT20N120
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 400V
Vgs (Max) +25V, -10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 175W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 10A, 20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket HiP247™
Paket / Fall TO-247-3
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