Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SCT10N120

STMicroelectronics SCT10N120

Numero di parte
SCT10N120
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

stmicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum

In stock 2207 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    5.93500/pcs

  • 10 pcs

    5.45600/pcs

  • 100 pcs

    4.60800/pcs

  • 500 pcs

    4.09915/pcs
Totale:5.93500/pcsUnit Price:
5.93500/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSCT10N120
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)20V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 400V
Vgs (massimo)+25V, -10V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs690 mOhm @ 6A, 20V
temperatura di esercizio-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreHiP247™
Pacchetto / casoTO-247-3
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