Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Simple SCT10N120

STMicroelectronics SCT10N120

Numero de parte
SCT10N120
Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
STMicroelectronics

STMicroelectronics

stmicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum

En Stock $ Cantidad de piezas

  • Precio de referencia

    (En dólares estadounidenses)

  • 1 pcs

    5.93500/pcs

  • 10 pcs

    5.45600/pcs

  • 100 pcs

    4.60800/pcs

  • 500 pcs

    4.09915/pcs
Total:5.93500/pcsUnit Price:
5.93500/pcs		Precio objetivo:
Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parteSCT10N120
Estado de la piezaActive
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaSiCFET (Silicon Carbide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C12A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)20V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 400V
Vgs (Max)+25V, -10V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs690 mOhm @ 6A, 20V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorHiP247™
Paquete / cajaTO-247-3
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