Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli UPA2737GR-E1-AT

Renesas Electronics America UPA2737GR-E1-AT

Numero di parte
UPA2737GR-E1-AT
fabbricante
Renesas Electronics America
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

In stock 68532 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
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    0.18422/pcs
  • 2,500 pcs

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0.18422/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte UPA2737GR-E1-AT
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1750pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
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