Numéro d'article | UPA2737GR-E1-AT |
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État de la pièce | Active |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1750pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 1.1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 11A, 10V |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | 8-SOP |
Paquet / cas | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 30V 130A 8SON
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 30V 130A 8SON
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON
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