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| Numero di parte | RJK5012DPE-00#J3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 6A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 4-LDPAK |
| Pacchetto / caso | SC-83 |
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 14A LDPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 14A TO220
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 19A TO220
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 25A TO-3P
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
Disponibile: 0
