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| Numero de parte | RJK5012DPE-00#J3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 6A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 4-LDPAK |
| Paquete / caja | SC-83 |
Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
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Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
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Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 500V 14A LDPAK
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Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 500V 14A TO220
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Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 500V 19A TO220
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Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 500V 25A TO-3P
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Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
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Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
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