Numero di parte | HAF1002-90STL-E |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (massimo) | +3V, -16V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 7.5A, 10V |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-LDPAK |
Pacchetto / caso | SC-83 |
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK
Disponibile: 0