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| Numero de parte | HAF1002-90STL-E |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | +3V, -16V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 4-LDPAK |
| Paquete / caja | SC-83 |
Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK
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