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| Numero di parte | NTD4979N-35G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Ta), 41A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 837pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 25V 45A IPAK
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
Disponibile: 2500
