Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array NSS40302PDR2G

ON Semiconductor NSS40302PDR2G

Numero di parte
NSS40302PDR2G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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In stock 68750 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    0.13946/pcs

  • 2,500 pcs

    0.13946/pcs

  • 5,000 pcs

    0.12984/pcs

  • 12,500 pcs

    0.12824/pcs
Totale:0.13946/pcsUnit Price:
0.13946/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteNSS40302PDR2G
Stato parteActive
Transistor TypeNPN, PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max)3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic115mV @ 200mA, 2A
Corrente - Limite del collettore (max)100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce180 @ 1A, 2V
Potenza - Max653mW
Frequenza - Transizione100MHz
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC
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