Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays NSS40302PDR2G

ON Semiconductor NSS40302PDR2G

Artikelnummer
NSS40302PDR2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Gesamt:0.13946/pcsUnit Price:
0.13946/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerNSS40302PDR2G
TeilstatusActive
Transistor-TypNPN, PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)40V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic115mV @ 200mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce180 @ 1A, 2V
Leistung max653mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC
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