Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NJVMJD128T4G

ON Semiconductor NJVMJD128T4G

Numero di parte
NJVMJD128T4G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK-4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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    0.11979/pcs
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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteNJVMJD128T4G
Stato parteActive
Transistor TypePNP - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max)8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic4V @ 80mA, 8A
Corrente - Limite del collettore (max)5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 4A, 4V
Potenza - Max1.75W
Frequenza - Transizione-
temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK-3
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