Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NJVMJD112G

ON Semiconductor NJVMJD112G

Numero di parte
NJVMJD112G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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In stock 83826 pz

  • Prezzo di riferimento

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0.15708/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteNJVMJD112G
Stato parteActive
Transistor TypeNPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max)2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
Corrente - Limite del collettore (max)20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
Potenza - Max1.75W
Frequenza - Transizione25MHz
temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
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