Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli MTP12P10G

ON Semiconductor MTP12P10G

Numero di parte
MTP12P10G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Numero di parteMTP12P10G
Stato parteObsolete
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds920pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs300 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3
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