Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli 2N7002F,215

Nexperia USA Inc. 2N7002F,215

Numero di parte
2N7002F,215
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 475MA SOT23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

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Numero di parte 2N7002F,215
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 475mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.69nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 830mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23)
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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