Artikelnummer | 2N7002F,215 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 475mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.69nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 830mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
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