Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF UTV8100B

Microsemi Corporation UTV8100B

Numero di parte
UTV8100B
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 290W 15A 55RT2
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 74 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

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    180.85820/pcs

  • 25 pcs

    180.85820/pcs
Totale:180.85820/pcsUnit Price:
180.85820/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteUTV8100B
Stato parteActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Frequenza - Transizione470MHz ~ 860MHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno8.5dB ~ 9.5dB
Potenza - Max290W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 1A, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)15A
temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / caso55RT
Pacchetto dispositivo fornitore55RT
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